強 誘電 体 メモリ
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代表的な強誘電体材料 後編 その他の材料 Ee Times Japan
強誘電体不揮発性メモリ Feram の基本動作 1 2 Ee Times Japan
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Ppt 電子の規則配列で作る新しい誘電体材料 Powerpoint Presentation Id 6000430
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強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する 前編 Ee Times Japan
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明 超高密度で高速動作する不揮発性メモリー実現に道 東工大ニュース 東京工業大学
ナノ結晶強誘電体メモリへ前進 Trendswatcher Net
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雑科学ノート 誘電体の話 その２
トランジスタ型強誘電体メモリの応用 脳型デバイスも可能 日経クロステック Xtech
強誘電体の傾斜したバンド構造の世界初観測 大学院 自然科学研究科 岡山大学
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2018 509777号 非破壊読み出し強誘電体メモリ及びその製造方法並びに操作方法 Astamuse
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2008 181577号 強誘電体メモリ装置および強誘電体メモリ装置のスクリーニング方法 Astamuse
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グラフェン電極を用いた強誘電体トンネル接合 自然通信
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トランジスタ型強誘電体メモリの応用 脳型デバイスも可能 日経 Xtech クロステック
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2014 067478号 強誘電体メモリの書き込みおよび非破壊的な読み込みを行うシステムおよび方法 Astamuse
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強誘電体の分極と外部電界 Ee Times Japan
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共同発表 強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明 微細化と超低消費電力化へ前進
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誘電体 電場と電束密度の関係 ジャズとエンジニア
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市村産業賞 受賞テーマ 第51回概要 02 市村賞贈呈 公益財団法人 市村清新技術財団
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